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FR-Scanner-AIO-Mic-XY200: 微米級(jí)精度膜厚儀簡介

更新時(shí)間:2025-03-07  |  點(diǎn)擊率:2018

FR-Scanner-AIO-Mic-XY200是一款自動(dòng)薄膜厚度測繪系統(tǒng),光學(xué)膜厚儀用于全自動(dòng)圖案化晶圓上的單層和多層涂層厚度測量。電動(dòng)X-Y載物臺(tái)提供適用尺寸 200mm x 200mm的行程,可在 200-1700nm 光譜范圍內(nèi)提供各種光學(xué)配置。

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FR-Scanner-AllInOne-Mic-XY200 光學(xué)膜厚儀模塊化厚度測繪系統(tǒng)平臺(tái),集成了先進(jìn)的光學(xué)、電子和機(jī)械模塊,用于表征圖案化薄膜光學(xué)參數(shù)。典型案例包括(但不限于)微圖案表面、粗糙表面等。

該機(jī)型光學(xué)模塊功能強(qiáng)大,可測量的光斑尺寸小至幾微米。真空吸盤支持尺寸/直徑達(dá) 200 毫米的各種晶圓。電動(dòng)平臺(tái)提供XY方向200 毫米的行程,在速度、精度和可重復(fù)性方面均有出色表現(xiàn)。

FR-Scanner-AIO-Mic-XY200提供:

l  實(shí)時(shí)光譜反射率測量

l  薄膜厚度、光學(xué)特性、不均勻性測量、厚度測繪

l  使用集成的、USB連接的高質(zhì)量彩色相機(jī)進(jìn)行成像

l  測量參數(shù)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)

應(yīng)用:

  • 大學(xué),研究所,實(shí)驗(yàn)室

  •  半導(dǎo)體(氧化物、氮化物、Si、抗蝕劑等)

  •  MEMS器件(光刻膠、硅膜等)

  •  LED、VCSEL、BAW、SAW濾波器

  •  數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

  •  聚合物涂料、粘合劑等

  •  生物醫(yī)療(聚丙烯、球囊壁厚等)

特點(diǎn):

  •  鼠標(biāo)點(diǎn)擊即可測量(不需要預(yù)估值)

  •  動(dòng)態(tài)測量

  •  測量包括光學(xué)常數(shù)(N&K)和色度

  •  鼠標(biāo)點(diǎn)擊移動(dòng)和圖案測量位置對(duì)齊功能

  •  提供離線分析軟件

  •  軟件升級(jí)免費(fèi)

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規(guī)格:

 

Model

 

UV/VIS

 

UV/NIR -EX

 

UV/NIR-HR

 

D UV/NIR

 

VIS/NIR

 

D VIS/NIR

 

NIR

 

NIR-N2

 

Spectral Range (nm)

200 – 850

200 –1020

200-1100

200 – 1700

370 –1020

370 – 1700

900 – 1700

900 - 1050

 

Spectrometer Pixels

3648

3648

3648

3648 & 512

3648

3648 & 512

512

3648

 

Thickness range (SiO2) *1

5X- VIS/NIR

4nm – 60μm

4nm – 70μm

4nm – 100μm

4nm – 150μm

15nm – 90μm

15nm–150μm

100nm-150μm

4um – 1mm

10X-VIS/NIR

10X-UV/NIR*

4nm – 50μm

4nm – 60μm

4nm – 80μm

4nm – 130μm

15nm – 80μm

15nm–130μm

100nm–130μm

15X- UV/NIR *

4nm – 40μm

4nm – 50μm

4nm – 50μm

4nm – 120μm

100nm-100μm

20X- VIS/NIR

20X- UV/NIR *

4nm – 25μm

4nm – 30μm

4nm – 30μm

4nm – 50μm

15nm – 30μm

15nm – 50μm

100nm – 50μm

40X- UV/NIR *

4nm – 4μm

4nm – 4μm

4nm – 5μm

4nm – 6μm

50X- VIS/NIR

15nm – 5μm

15nm – 5μm

100nm – 5μm

 

Min. Thickness for n & k

50nm

50nm

50nm

50nm

100nm

100nm

500nm

 

Thickness Accuracy **2

0.1% or 1nm

0.2% or 2nm

3nm or 0.3%

 

 

Thickness Precision **3/4

0.02nm

0.02nm

<1nm

5nm

 

Thickness stability **5

0.05nm

0.05nm

<1nm

5nm

 

Light Source

Deuterium & Halogen

Halogen (internal), 3000h   (MTBF)

 

Min. incremental motion

0.6μm

 

Stage repeatability

±2μm

 

Absolute accuracy

±3μm

 

Material Database

> 700 different materials

 

Wafer size

2in-3in-4in-6in-8in

 

Scanning   Speed

100meas/min (8’’ wafer size)

 

 

Tool   dimensions / Weight

700x700x200mm / 45Kg

 


 

測量區(qū)域光斑(收集反射信號(hào)的區(qū)域)與物鏡和孔徑大小有關(guān)▼

 

物鏡

 

Spot Size (光斑)

 

放大倍率

 

500微米孔徑

 

250微米孔徑

 

100微米孔徑

 

5x

100 μm

50 μm

20 μm

 

10x

50 μm

25 μm

10 μm

 

20x

25 μm

15 μm

5 μm

 

50x

10 μm

5 μm

2 μm


 

*1規(guī)格如有變更,恕不另行通知,*2與校正過的光譜橢偏儀和x射線衍射儀的測量結(jié)果匹配,*3超過15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差平均值,樣品:硅晶片上1微米SiO2,*4標(biāo)準(zhǔn)偏差100次厚度測量結(jié)果,樣品:硅晶片上1微米SiO2, *5 15天內(nèi)每日平均值的2*標(biāo)準(zhǔn)差。樣品:硅片上1微米SiO2。

 

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