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用三個(gè)維度詳細(xì)解析薄膜電阻測(cè)量?jī)x的使用方法
2025-07-11

在柔性電子、半導(dǎo)體制造及新能源材料研發(fā)領(lǐng)域,薄膜電阻的精確測(cè)量是評(píng)估材料性能的核心指標(biāo)。Delcom20J3STAGE薄膜電阻測(cè)量?jī)x憑借其非接觸式渦流技術(shù)、高精度傳感器及智能化軟件系統(tǒng),成為行業(yè)實(shí)驗(yàn)室與產(chǎn)線的關(guān)鍵設(shè)備。以下從操作流程、核心功...

  • 2023-04-13

    01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級(jí)計(jì)算中的新興應(yīng)用,對(duì)于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。我們比以往任何時(shí)候都更加依賴這些應(yīng)用來(lái)確保這個(gè)世界更安全、更高效。在所有這些市場(chǎng)中,硅光子學(xué)(SiPh)在實(shí)現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此,開發(fā)能夠經(jīng)濟(jì)高效地?cái)U(kuò)大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時(shí)候都更加重要。雖然通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施,SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟,但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶...

  • 2023-04-12

    相較上一代平臺(tái),全新自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(IQAlignerNT)產(chǎn)出率和對(duì)準(zhǔn)精度提升兩倍,為EVG光刻解決方案帶來(lái)了全新應(yīng)用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓鍵合和光刻設(shè)備LINGXIAN供應(yīng)商EVG集團(tuán)(EVG)近日宣布推出IQAlignerNT,旨在針對(duì)大容量XIANJIN封裝應(yīng)用推出的全新自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機(jī)配備了高強(qiáng)度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...

  • 2023-04-12

    1.介紹對(duì)電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒?jí)封裝和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝,小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此,對(duì)于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長(zhǎng),以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級(jí)的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景,需要能夠通過高級(jí)封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造(HVM)行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計(jì),并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時(shí)代。EVGroup開發(fā)了MLE™(無(wú)掩模曝...

  • 2023-04-12

    一、優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)介:MicroSense的高精度電容式位移傳在感器,除具有一般非接觸式儀器的共性外,還具有信噪比高、靈敏度高、零漂小、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、抗電磁干擾能力強(qiáng)、使用方便等優(yōu)點(diǎn),在國(guó)內(nèi)研究所、高等院校、企業(yè)得到廣泛應(yīng)用,成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種非常重要的測(cè)試儀器。二、特點(diǎn):1、可實(shí)現(xiàn)近距離、高精度、非接觸式位置測(cè)量2、分辨率可達(dá)亞納米級(jí)直至皮納米級(jí),在所有商用電容傳感器品牌中,噪音ZUI低3、提供多種型號(hào)的探頭,以滿足高穩(wěn)定性、線性或高測(cè)量帶寬等不同需求4、...

  • 2023-04-12

    3結(jié)果與討論3.1顯影時(shí)間影響經(jīng)過無(wú)掩模光刻機(jī)曝光后,目標(biāo)圖案已轉(zhuǎn)移至ITO玻璃上。將ITO玻璃放置于加熱板上進(jìn)行加熱,烘除光刻膠中的殘留溶劑、水分,使光刻膠與ITO玻璃結(jié)合更加緊密,此時(shí),經(jīng)過曝光的光刻膠與未曝光的光刻膠在顯影液中會(huì)存在明顯的溶解速度差。將自然冷卻后的ITO玻璃浸沒于SU-8光刻膠專用顯影液中,由于本實(shí)驗(yàn)中采用的光刻膠為負(fù)膠,因此顯影目的是為了除去曝光區(qū)域以外的光刻膠。該方法的核心問題是控制顯影時(shí)間。圖2為經(jīng)過不同顯影時(shí)間后,在Ti-E顯微鏡下觀察到的光刻膠...

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