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光學(xué)膜厚儀作為現(xiàn)代材料科學(xué)中至關(guān)重要的精密測量工具，其核心原理基于光的干涉現(xiàn)象與薄膜光學(xué)特性。當(dāng)一束光波照射至透明或半透明薄膜表面時，部分光在膜層上表面反射，另一部分穿透膜層后在下表面反射，兩束反射光因光程差產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。通過分析干涉圖樣的...
光刻技術(shù)與我們的生活息息相關(guān)，我們用的手機，電腦等各種各樣的電子產(chǎn)品，里面的芯片制作離不開光科技束。如今的世界是一個信息社會，各種各樣的信息流在世界流動。而光刻機是保證制造承載信息的載體。在社會上擁有不可替代的作用。掩模對準(zhǔn)光刻機系統(tǒng)增加了對準(zhǔn)精度，該系列包括了光刻機、W2W接合曝光和對準(zhǔn)檢測設(shè)備。1、光刻機：分別可以處理從小于5mm到150mm和從3英寸到200mm襯底－擁有一系列先進的功能和特點，包括一個花崗巖基座、主動式隔振裝置和線性馬達，以達到更高的精度和生產(chǎn)量要求。...
近幾十年來，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高性能、小外形、低成本的電子產(chǎn)品已成為市場的基本需求。集成電路上可容納元器件的數(shù)目是符合摩爾定律預(yù)測的。但是近年來傳統(tǒng)的集成電路增長趨勢開始和摩爾定律的理想模型出現(xiàn)了差別。隨著手機和各種電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，芯片的功能也越來越復(fù)雜，芯片上集成晶體管的數(shù)目也隨著越來越多，同時也引起了集成電路體積的增大和功耗增高。當(dāng)晶體管的柵極長度和氧化層厚度都接近物理極限的時候，二維集成最終將走到道路的盡頭。遵循摩爾定律的三維集成技術(shù)可以作為解決上述問題的方案。...
晶圓鍵合機的晶圓級三維集成是一個新的概念，利用許多高級技術(shù)實現(xiàn)電路密度的增加和體積的縮小。下面介紹三項重要的關(guān)鍵技術(shù)。1、對準(zhǔn)和鍵合：對準(zhǔn)不精確導(dǎo)致電路故障或可靠性差。因此，對準(zhǔn)精度的高低主導(dǎo)了的晶片接觸面積和三維集成電路堆疊的成品率。對準(zhǔn)精度與對準(zhǔn)器和對準(zhǔn)標(biāo)記有關(guān)。也受操作員個人經(jīng)驗的影響。銅被廣泛用于標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造中。因此，銅是三維集成中連接兩個設(shè)備層或晶圓的較好的選擇。銅晶圓鍵合的原理是讓兩個晶片接觸然后熱壓縮。在鍵合過程中，兩個晶片的銅層可以相互擴散以完成鍵合過程。...
光刻機，是一個全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗證過的新型光刻曝光機以及晶圓對晶圓(W2W)接合曝光和測試系統(tǒng)，可滿足用戶對更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢帶來了眾多的新挑戰(zhàn)，如對更高精度的要求，因為這將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律，并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。它應(yīng)用的系統(tǒng)可提高對準(zhǔn)精度，范圍從1μm-0.1μm，從而為生產(chǎn)廠家在先進微電子、化和物半導(dǎo)體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。它的技術(shù)原理：光刻機就是把芯片制作所需要的線路...
面向MEMS，納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場的晶圓鍵合和光刻設(shè)備的LINGXIAN供應(yīng)商EVGroup（EVG）近日推出了IQAlignerNT，它是針對大批量先進封裝應(yīng)用的新的，先進的自動掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。新型IQAlignerNT具有高強度和高均勻度的曝光光學(xué)器件，新的晶圓處理硬件，可實現(xiàn)全局多點對準(zhǔn)的200mm和300mm晶圓WANQUAN覆蓋范圍以及優(yōu)化的工具軟件，從而使生產(chǎn)率提高了2倍與EVG上一代IQAligner相比，對準(zhǔn)精度提高了2倍。該系統(tǒng)超越了晶圓凸塊和其他后端光刻應(yīng)用...